發布日期： 2020-02-25-2021-02-25
從行動通訊發展軌跡來看，4G佈建即將結束，5G將就此展開。在過去金屬氧化物半導體laterally-diffused metal-oxide semiconductor（LDMOS）元件已廣泛用於基站射頻功率放大器中，有鑑於此，氮化鎵(GaN)將逐步取代基站射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍是最大的收入份額，但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率，設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件，特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署（包括毫米波段）。光電協進會林政賢產業分析師指出，根據Strategy Analyticsy市場預測，RF GaN元件在2018年至2023年的營收增長了22％，將會在2023年超過17億美元。林政賢認為，這種快速增長的動力來自4G基地台部署普及和電信基站升級以及國防、雷達、衛星通訊應用上取代LDMOS元件。市場認為，LDMOS可能在兩年，甚至三年內仍將是基站最大的電源技術，在未來小於6GHz頻率與高頻毫米波的5G頻譜組合，GaN市場將更加顯著。
隨著功率及射頻元件發展趨勢，GaN串出的態勢逐漸明郎，全球各家廠商都已開始往GaN材料做研發與專利佈局，諸如科銳(Cree)、住友電工（Sumitomo Electric）、英特爾（Intel）等爭搶次世代科技專利主導權。台灣方面的砷化鎵(GaAs)廠商亦開始看重並轉進投資GaN 晶圓製造、封裝測試，諸如:台積電已提供6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工服務；嘉晶6 吋 GaN-on-Si 磊晶矽晶圓，已進入國際IDM廠認證階段；穩懋6 吋 GaN-on-SiC 晶圓代工服務，瞄準高功率 PA 及天線等地應用，台廠在全球半導體產業鏈上中游占據重要地位。
資料來源:GaNHEMT.com翻拍
台積電就在本月宣布和意法半導體共同合作氮化鎵製程技術的研發，希望加速分離式與整合式氮化鎵元件產品導入市場。世界先進和Qromis共同合作開發8 吋GaN-on-QST，預估今年會有小量送樣的進度。在功率產品上，小米本月在發布會宣布推出導入GaN 技術的 65W快充插頭，GaN晶片是由納微半導體 (Navitas)，只需45分鐘就可為小米10 Pro手機充滿電。
